Home > 기술 > Image Sensor > Methodology   나노기술의 적용 예로서, 일각에서 제시하는 나노구조로는 단위픽셀을 제작함에 있어서 일반 반도체의 CMOS 공정만으로 수광 부 나노크기의 포토디텍터로 구성하는 방법이 있다. 나노디텍터는 수광 면적이 적을수록 그 감도가 향상됨과 동시에 주변 신호처리 트랜지스터를 최소 사이즈로 제작할 수 있어서, 현 기술로써 극복할 수 없었던 최소사이즈의 단위픽셀을 구현하는 것이 가능하게 되었다. 즉, 양자구조 (양자우물, 양자선, 양자점 등)를 반도체 재료에 적극적으로 이용하면, 전도대 영역의 양자효과를 통하여 2차원 또는 1차원, 또는 0차원에 속박된 전자의 에너지로부터 발생하는 전위장벽을 임의로 형성하고 이를 제어할 수 있게 되는데, 미세한 빛이 수광부에 조사되는 것에 의하여 전류의 흐름과 크기를 조절할 수 있는 양자형 나노 포토디텍터 구조를 얻을 수 있다. 이와 같은 구조는 고감도 포토디텍터로서의 동작을 가능하게 한다. 이는 매우 단순한 구조이기 때문에 간단히 여러 개를 직렬 또는 병렬로 연결하여 출력을 더욱 크게 할 수 있으며 증폭회로를 일괄공정에 의해 동일 칩 상에 형성함으로써 새로운 개념의 이미지센서를 개발할 수 있는 것이다.