Home > 기술 > Image Sensor > Executive Summary   나노기술이 접목된 이미지 센서 기술은 CCD와 CMOS 이미지 센서 기술의 고집적화를 위한 픽셀수의 한계성 및 수광면적의 한계성을 극복하는 신개념의 이미지 센서 모델이다. 특히 중저가 이미지 센서 시장에 일반적으로 널리 쓰이고 있는 기존 CMOS공정을 최적화(Architecture optimization) 시킴과 동시에 픽셀의 강도를 향상(improving sensitive) 시키고, 잡음을 감소(Reducing noise)시키며, 초소형, 초절전형으로 고감도의 새로운 CMOS이미지 센서를 완성시킨다.   현재 이미지센서 개발은 새로운 수광원리를 채택하고, 나노기술을 접목시켜서 고감도, 고화질, 저전력의 고성능을 실현하고 있다. 최근 상용화기술개발 완료한 CMOS 이미지센서는 사람의 눈과 같은 기능을 하는 일종의 인공 눈으로서 일반 메모리반도체와 유사한 제조방식으로 나노기술이 결합된 실리콘 반도체 기술을 이용한 제품이다. 일반적인 휴대폰이나 디지털카메라로 깜깜한 밤에 어두운 곳의 사진을 찍을 때는 빛을 받아들이는 센서가 감도가 좋지 않아서 사진이 검게 나와서 알아볼 수가 없는데, 이 기술을 응용하면 어두운 곳에서도 대낮처럼 사진을 찍을 수 있게 된다. 요즘 업체들간의 몇십만, 몇백만등 화소 경쟁이 치열한데 이 나노기술을 이용하여 반도체 물성의 특수한 기능을 이용하면, 더 작은 크기의 이미지 센서를 개발할 수 있고, 국내 130만화소급이 기술적 한계볼 때, 그 한계를 뛰어넘어 카메라폰도 디지털 카메라의 200만화소 이상의 화질을 구현할수 있는 기술이다. 빠른 제품양산을 위해서 지금은 30만화소정도의 카메라폰용 센서제품을 출시할 예정이며, 구동부를 제외한 이미지센서 부분만 고려하였을 때, 나노기술을 이용하기 때문에 전력소모도 기존 핸드폰과 디지털 카메라의 이미지센서보다는 수십분의1 로 줄일 수 있어, 고화질 화소 구현에 따르는 전력소모도 동시에 해결 할 수 있다.