Home > 기술 > Image Sensor > 이미지센서 비교     CCD CMOS-image sensor SMPD1-image sensor 센서 개념도 수광방식 PN다이오드 수광부(10) PN 다이오드 수광부(20) 단일 MOS 수광부(1) 픽셀구조 * Bunket relay 방식 * 전하는 소자의 출구에서    전압으로 변환 * 감도(1, A/W), S/N 양호 * Smear 현상 * 복수의 전원전압    (+15V,+3.3V, -7.5V) * 고화소 (500만) - 전하는 단위화소의 증폭기에서    전압으로 변환 - 저전압 (+2.8V), 단일전원    구동 →소비전력 낮음 - Smear 현상 없슴 - 감도(0.5 A/W이하),    S/N 불량(FPN) - 저화소 (100만) - 전하는 단위화소에서 전압으로    변환 - 저전압(+2V 이하), 단일 전원    구동 - SMear 현상 없슴 - 감도(1000 A/W이상),    S/N양호 - 고화소 (200만 이상) 구동회로 <3칩> ① 이미지센서 ② A-D컨버터 (CDS/AGC,     A-D) ③ 구동회로 (수직드라이버,     타이밍, 싱크) <단일칩> ① 이미지센서+AGC+A-D +     타이밍 + 싱크제너레이터 <단일칩> ① 이미지센서 +AGC +A-D     + 제너레이터 제조방식 전용라인 범용CMOS 라인 범용CMOS 라인 가격 고가 (10) 저가 (1) 저가 (0.5)   Pixel Sensitivity Comparison   A 사 B 사 C 사 SMPD-IS PARAMETER Units VGA 3.1 Mega VGA 3.1 Mega VGA VGA Pixel Size nm 5600 x 5600 3200 x 3200 9900 x 9900 3200 x 3200 8000 x 8000 4000 x 4000 Pixel Array   640x480 2048x1536 659x494 2048x1536 644x484 640x480 Power Supply V 2.5 3.3 / 1.8 3.3 3.3 3.3 3.3 Lens Size inch 1/4 1/2 1/2 1/2 1/2 1/6 Sensitivity V/lux·s 1.12 0.90 2.0(Green) n/a 2.7(Green) 3×104 Dynamic Range dB 62 60 60 61 48 Max. 120 SNR dB 46 40 n/a 43 n/a n/a FPN   < 0.03% < 0.03% n/a n/a n/a       SMPD-IS Hynix Pixelplus Micron Sensitivity [V/lux·s] 2400(typical) 1.5 3.1 > 1